Výrobca Číslo produktu:
STI34N65M5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STI34N65M5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventár:
991 Ks Nové Originálne Na Sklade
12880287
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STI34N65M5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ V
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
62.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2700 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-281 (I2PAKFP)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základné číslo produktu
STI34N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-13439
-497-13439
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP34N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
241
ČÍSLO DIELU
STP34N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.82
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STW80NF55-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3
STD12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
STW18NK60Z
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
