Výrobca Číslo produktu:
STI47N60DM6AG
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STI47N60DM6AG-DG
Popis:
POWER TRANSISTORS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 36A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventár:
40 Ks Nové Originálne Na Sklade
12873555
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STI47N60DM6AG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ DM6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
80mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.75V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2350 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262 (I2PAK)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
STI47
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STI11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
BUK9214-30A,118
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
STP5NK90Z
MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB