Výrobca Číslo produktu:
STL19N60M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STL19N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventár:
12945627
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STL19N60M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ M2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
791 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerFlat™ (8x8) HV
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
STL19
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STI10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
STW30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
STFW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
