Výrobca Číslo produktu:
STL260N4LF7
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STL260N4LF7-DG
Popis:
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Inventár:
2747 Ks Nové Originálne Na Sklade
12950528
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STL260N4LF7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
STripFET™ F7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
188W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerFlat™ (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
497-STL260N4LF7DKR
497-STL260N4LF7CT
497-STL260N4LF7TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
SCTH40N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
