Výrobca Číslo produktu:
STL3N10F7
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STL3N10F7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Inventár:
2438 Ks Nové Originálne Na Sklade
12877585
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STL3N10F7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
70mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
408 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.4W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerFlat™ (2x2)
Balenie / puzdro
6-PowerWDFN
Základné číslo produktu
STL3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
-497-14993-1
-497-14993-2
497-14993-2
497-14993-1
497-14993-6
-497-14993-6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RF4P060BGTCR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
RF4P060BGTCR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STL120N2VH5
MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT
STP11NK40Z
MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB
STP50NE08
MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB