Výrobca Číslo produktu:
STL3NM60N
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STL3NM60N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Inventár:
8766 Ks Nové Originálne Na Sklade
12876090
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STL3NM60N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
188 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta), 22W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
STL3NM60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
497-13351-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PHB174NQ04LT,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
STI200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
STD30PF03L-1
MOSFET P-CH 30V 24A IPAK
