Výrobca Číslo produktu:
STN1HNK60
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STN1HNK60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventár:
45248 Ks Nové Originálne Na Sklade
12875578
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STN1HNK60 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
400mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
156 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.3W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
STN1HNK60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
497-4668-6
497-4668-2
497-4668-1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB27NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STW35N65DM2
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
STL100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
