Výrobca Číslo produktu:
STP10LN80K5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP10LN80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12875089
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP10LN80K5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
630mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
427 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP10
Technické údaje a dokumenty
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-16500-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQPF10N60C
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5
ČÍSLO DIELU
FQPF10N60C-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.07
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCP850N80Z
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
766
ČÍSLO DIELU
FCP850N80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.13
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOT10N60
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
769
ČÍSLO DIELU
AOT10N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STD50NH02L-1
MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
STU13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
STB42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
