Výrobca Číslo produktu:
STP10NK60Z
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP10NK60Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
905 Ks Nové Originálne Na Sklade
12875719
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP10NK60Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1370 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
115W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-4117-5
497-4117-5-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STWA40N90K5
MOSFET N-CH 900V 40A TO247
IRF830
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
STD5NK52ZD-1
MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK