Výrobca Číslo produktu:
STP10NK70Z
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP10NK70Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 8.6A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
128 Ks Nové Originálne Na Sklade
12877809
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP10NK70Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
700 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
850mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-5893-5
STP10NK70Z-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB9N65APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
912
ČÍSLO DIELU
IRFB9N65APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.19
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOT7S65L
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
373
ČÍSLO DIELU
AOT7S65L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
STP9NK90Z
MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
STP12N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
