Výrobca Číslo produktu:
STP11N52K3
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP11N52K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 525 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
564 Ks Nové Originálne Na Sklade
12875318
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP11N52K3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
525 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
510mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1400 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP11N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-11870-5
-497-11870-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP12N50P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
300
ČÍSLO DIELU
IXFP12N50P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFB13N50APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1693
ČÍSLO DIELU
IRFB13N50APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.46
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF740PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1690
ČÍSLO DIELU
IRF740PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
STW150NF55
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
