Výrobca Číslo produktu:
STP11NM80
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP11NM80-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
695 Ks Nové Originálne Na Sklade
12880236
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP11NM80 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1630 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP11
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-4369-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP100NF04
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
STP8NM60
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
STF9NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP