Výrobca Číslo produktu:
STP13NM60ND
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP13NM60ND-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 109W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
87 Ks Nové Originálne Na Sklade
12880396
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP13NM60ND Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
FDmesh™ II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
845 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
109W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP13
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-13881-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STD30PF03LT4
MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
STP21NM60ND
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
STL16N60M2
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
