Výrobca Číslo produktu:
STP24N65M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP24N65M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 16A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12875305
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP24N65M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MDmesh™ M2
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
230mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1060 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP24N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-15276-5
497-15276-5-DG
497-15276-5
497-STP24N65M2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCP220N80
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
180
ČÍSLO DIELU
FCP220N80-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.93
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCP260N60E
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
200
ČÍSLO DIELU
FCP260N60E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.65
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STS4DNFS30
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO
STW75N60DM6
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
STF12NK60Z
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
