Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
STP26N60DM6
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP26N60DM6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
Online RFQ
12877366
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP26N60DM6 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ DM6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
195mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.75V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
940 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
130W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP26
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
STP26N60DM6 Datasheet
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
350
Iné mená
497-18499
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCP16N60N
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2766
ČÍSLO DIELU
FCP16N60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK16E60W,S1VX
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
39
ČÍSLO DIELU
TK16E60W,S1VX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPP60R199CPXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
512
ČÍSLO DIELU
IPP60R199CPXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.75
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPP65R190C7FKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
499
ČÍSLO DIELU
IPP65R190C7FKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK20E60W,S1VX
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
35
ČÍSLO DIELU
TK20E60W,S1VX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.29
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP11NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STW70N10F4
MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
STF11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
STB57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK