STP26N60DM6
Výrobca Číslo produktu:

STP26N60DM6

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STP26N60DM6-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

12877366
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STP26N60DM6 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ DM6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
195mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.75V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
940 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
130W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP26

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
350
Iné mená
497-18499

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FCP16N60N
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2766
ČÍSLO DIELU
FCP16N60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK16E60W,S1VX
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
39
ČÍSLO DIELU
TK16E60W,S1VX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPP60R199CPXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
512
ČÍSLO DIELU
IPP60R199CPXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.75
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPP65R190C7FKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
499
ČÍSLO DIELU
IPP65R190C7FKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK20E60W,S1VX
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
35
ČÍSLO DIELU
TK20E60W,S1VX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.29
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STP11NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

stmicroelectronics

STW70N10F4

MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3

stmicroelectronics

STF11NM50N

MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP

stmicroelectronics

STB57N65M5

MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK