STP28N60DM2
Výrobca Číslo produktu:

STP28N60DM2

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STP28N60DM2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

220 Ks Nové Originálne Na Sklade
12873305
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STP28N60DM2 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1500 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP28

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
497-16348-5

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STW13NK60Z

MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3

stmicroelectronics

STP45NF3LL

MOSFET N-CH 30V 45A TO220AB

stmicroelectronics

STF21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP

stmicroelectronics

STS12N3LLH5

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO