STP315N10F7
Výrobca Číslo produktu:

STP315N10F7

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STP315N10F7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

824 Ks Nové Originálne Na Sklade
12879893
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STP315N10F7 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
12800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
315W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP315

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
497-14717-5

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STP25NM60ND

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

stmicroelectronics

STW48N60M6

MOSFET N-CH 600V 39A TO247

stmicroelectronics

STFV3N150

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220-3

stmicroelectronics

STD25NF10T4

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK