Výrobca Číslo produktu:
STP318N4F6
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP318N4F6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 160A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 160A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12974050
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP318N4F6 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
STripFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
160A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
13800000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
341W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-STP318N4F6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N6660
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
PJF6NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
NTMFS4C822NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
