Výrobca Číslo produktu:
STP35N60M2-EP
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP35N60M2-EP-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 26A (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12880091
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP35N60M2-EP Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ M2-EP
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
-
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Vgs (max.)
±25V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP35
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB75NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
STP200NF04L
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
STFI6N62K3
MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
