Výrobca Číslo produktu:
STP3N80K5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP3N80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
841 Ks Nové Originálne Na Sklade
12879389
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP3N80K5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH5™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
130 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP3N80
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-14281-5
STP3N80K5-DG
497-14281-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFBE30PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2597
ČÍSLO DIELU
IRFBE30PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.83
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTP4N80P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTP4N80P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220
STP5NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STF17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A TO220FP
