Výrobca Číslo produktu:
STP3NK50Z
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP3NK50Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 2.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
9093 Ks Nové Originálne Na Sklade
12875823
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP3NK50Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
280 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP3NK50
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-17623
-1138-STP3NK50Z
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF820PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1744
ČÍSLO DIELU
IRF820PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STW74NF30
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
STP20NM50FP
MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
