Výrobca Číslo produktu:
STP5N52K3
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP5N52K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 525 V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12877425
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP5N52K3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
525 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
450 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
70W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP5N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-10652-5
-497-10652-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF830PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9086
ČÍSLO DIELU
IRF830PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5605
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOT5N50
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
588
ČÍSLO DIELU
AOT5N50-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.34
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STW28NM60ND
MOSFET N-CH 600V 23A TO247
STFW24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO3PF
STD170N4F7AG
MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
