Výrobca Číslo produktu:
STP5N95K3
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP5N95K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 950V 4A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 950 V 4A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12880736
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP5N95K3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
950 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
460 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP5N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-497-10992-5
STP5N95K3-DG
497-10992-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP5N100P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
41
ČÍSLO DIELU
IXFP5N100P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.41
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB32NM50N
MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
STW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
STL5N80K5
MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
