Výrobca Číslo produktu:
STP7N52K3
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP7N52K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 525 V 6A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12878039
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
OjYJ
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP7N52K3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
525 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
980mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
737 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP7N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-9094-5
-497-9094-5
1805-STP7N52K3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF840APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9022
ČÍSLO DIELU
IRF840APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF840PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2939
ČÍSLO DIELU
IRF840PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.72
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOT8N50
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3679
ČÍSLO DIELU
AOT8N50-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.41
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP30NM50N
MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
STW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STL12P6F6
MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
