STP7N80K5
Výrobca Číslo produktu:

STP7N80K5

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STP7N80K5-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

860 Ks Nové Originálne Na Sklade
12875696
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STP7N80K5 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH5™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
360 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP7N80

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
497-13589-5

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STP8NS25FP

MOSFET N-CH 250V 8A TO220FP

stmicroelectronics

STL8N65M2

MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

stmicroelectronics

STW20N60M2-EP

MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247

nxp-semiconductors

BUK9611-55A,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK