Výrobca Číslo produktu:
STP9NK60Z
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STP9NK60Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
35 Ks Nové Originálne Na Sklade
12878611
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STP9NK60Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
950mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1110 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
STP9NK60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-12620-5
STP9NK60Z-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCP7N60
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
FCP7N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.05
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFBC40APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
482
ČÍSLO DIELU
IRFBC40APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.98
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFP10N80P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
242
ČÍSLO DIELU
IXFP10N80P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.72
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STD5N60DM2
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
STF2N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220FP
STB25NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK