STR2P3LLH6
Výrobca Číslo produktu:

STR2P3LLH6

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STR2P3LLH6-DG

Popis:

MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 2A (Ta) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Inventár:

16974 Ks Nové Originálne Na Sklade
12877107
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STR2P3LLH6 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
STripFET™ H6
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
56mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
639 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
350mW (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
STR2P3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
497-15520-2
497-15520-1
497-15520-6

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STL16N65M2

MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP33N60DM2

MOSFET N-CH 600V 24A TO220

stmicroelectronics

STL110N10F7

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

stmicroelectronics

STD5NK50Z-1

MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK