Výrobca Číslo produktu:
STS5DP3LLH6
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STS5DP3LLH6-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5A (Ta) 2.7W Surface Mount 8-SO
Inventár:
12878959
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STS5DP3LLH6 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
DeepGATE™, STripFET™ H6
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
56mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
639pF @ 25V
Výkon - Max
2.7W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
STS5D
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2156-STS5DP3LLH6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STS8C5H30L
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
STS3DNE60L
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
STS10DN3LH5
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC