Výrobca Číslo produktu:
STSJ100NH3LL
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STSJ100NH3LL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
Inventár:
12879631
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STSJ100NH3LL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
STripFET™ III
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4450 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 70W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC-EP
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Základné číslo produktu
STSJ100N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
497-5785-6
STSJ100NH3LL-DG
497-5785-1
497-5785-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI4842BDY-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1589
ČÍSLO DIELU
SI4842BDY-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.94
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
