Výrobca Číslo produktu:
STU12N65M5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STU12N65M5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
12876237
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STU12N65M5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MDmesh™ V
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
430mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
900 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
70W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU12N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
STU12N65M5-DG
-497-11401-5
497-11401-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP15N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
988
ČÍSLO DIELU
STP15N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.09
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STT3P2UH7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
STL210N4F7AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
STW7NK90Z
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
