STU13NM60N
Výrobca Číslo produktu:

STU13NM60N

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STU13NM60N-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventár:

Online RFQ
12878640
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STU13NM60N Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
790 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU13

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
STF,I,P,U,W13NM60N

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
75

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STB11N65M5

MOSFET N CH 650V 9A D2PAK

stmicroelectronics

STD75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

stmicroelectronics

STN3P6F6

MOSFET P-CH 60V SOT223

stmicroelectronics

STL115N10F7AG

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT