Výrobca Číslo produktu:
STU6N62K3
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STU6N62K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 620 V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
5990 Ks Nové Originálne Na Sklade
12878741
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STU6N62K3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
620 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
875 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU6N62
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
-1138-STU6N62K3
497-12699-5
-497-12699-5
STU6N62K3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP95N2LH5
MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
STB13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
STB30N80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
