Výrobca Číslo produktu:
STU7N60M2
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STU7N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12875986
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STU7N60M2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ II Plus
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
950mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
271 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU7N60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
497-13979-5
STU7N60M2-DG
-497-13979-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STW70N60M2-4
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP6N95K5
N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A
STW12NK90Z
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
