STU7NM60N
Výrobca Číslo produktu:

STU7NM60N

Product Overview

Výrobca:

STMicroelectronics

Číslo dielu:

STU7NM60N-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventár:

650 Ks Nové Originálne Na Sklade
12876960
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

STU7NM60N Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
363 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU7NM60

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
75
Iné mená
497-12367
-1138-STU7NM60N

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STW56N60DM2

MOSFET N-CH 600V 50A TO247

stmicroelectronics

SCTWA10N120

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

stmicroelectronics

STP15N95K5

MOSFET N-CH 950V 12A TO220

stmicroelectronics

STB80NF55-08AG

MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK