Výrobca Číslo produktu:
STU95N2LH5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STU95N2LH5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 80A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
12879224
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STU95N2LH5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
STripFET™ V
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13.4 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1817 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
70W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU95
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
STU95N2LH5-DG
-497-12703-5
497-12703-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP14NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
STP7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
STF15NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
