Výrobca Číslo produktu:
STW10NK60Z
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STW10NK60Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventár:
425 Ks Nové Originálne Na Sklade
12877046
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STW10NK60Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1370 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
156W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
STW10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
497-3253-5
497-3253-5-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STL57N65M5
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
STF6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
