Výrobca Číslo produktu:
STW13N80K5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STW13N80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventár:
12878380
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STW13N80K5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
SuperMESH5™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
870 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
STW13
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
497-15160-5
STW13N80K5-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFH16N80P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
295
ČÍSLO DIELU
IXFH16N80P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.52
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFH14N60P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24
ČÍSLO DIELU
IXFH14N60P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.65
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SPW11N80C3FKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2520
ČÍSLO DIELU
SPW11N80C3FKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.49
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STU2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
STP25NM60N
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB