Výrobca Číslo produktu:
STW23N80K5
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STW23N80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 16A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventár:
12876445
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STW23N80K5 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ K5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1000 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
STW23
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
497-16331-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTH30N60P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
648
ČÍSLO DIELU
IXTH30N60P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.55
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTH30N60L2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
475
ČÍSLO DIELU
IXTH30N60L2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
12.61
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTH20N65X
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
595
ČÍSLO DIELU
IXTH20N65X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.92
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STD120N4LF6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
SCTWA30N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
