Výrobca Číslo produktu:
STW9N150
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STW9N150-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 1500 V 8A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventár:
12876199
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STW9N150 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
PowerMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
89.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3255 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
320W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
STW9
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
497-8465-5
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
2SK1835-E
VÝROBCA
Renesas Electronics Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
18610
ČÍSLO DIELU
2SK1835-E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.54
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
STFU9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
STH245N75F3-6
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
