Výrobca Číslo produktu:
TSM170N06CP
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM170N06CP-DG
Popis:
60V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 38A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
13004739
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM170N06CP Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
38A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
46W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TSM170
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
1801-TSM170N06CPTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD30N08S2L21ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20072
ČÍSLO DIELU
IPD30N08S2L21ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.63
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SQD30N05-20L_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3507
ČÍSLO DIELU
SQD30N05-20L_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM085NB03CV
30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL
TSM320N03CX
30V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
TSM090N03CP
30V, 50A, SINGLE N-CHANNEL POWER