TSM1NB60CW
Výrobca Číslo produktu:

TSM1NB60CW

Product Overview

Výrobca:

Taiwan Semiconductor Corporation

Číslo dielu:

TSM1NB60CW-DG

Popis:

600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223

Inventár:

13375216
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TSM1NB60CW Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
138 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
TSM1

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
5,000
Iné mená
1801-TSM1NB60CWTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

NTHL022N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

diodes

DMN52D0U-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

diodes

DMTH45M5SFVW-7

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMP31D7LWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R