Výrobca Číslo produktu:
TSM4NB60CI
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM4NB60CI-DG
Popis:
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventár:
12998613
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM4NB60CI Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
TSM4
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
1801-TSM4NB60CI
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFIBC30GPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1568
ČÍSLO DIELU
IRFIBC30GPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.22
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM080N03PQ56
30V, 73A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM4NB65CI
650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SSF2429
MOSFET, P-CH, SINGLE, -5A, -20V,