Výrobca Číslo produktu:
TSM60NC165CI
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM60NC165CI-DG
Popis:
600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 89W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventár:
13374379
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM60NC165CI Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Balenie
Tube
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
165mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1857 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
89W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
TSM60
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
1801-TSM60NC165CI
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TSM60NC165CI C0G
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4000
ČÍSLO DIELU
TSM60NC165CI C0G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.80
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM60NB900CP
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM042N03CS
30V, 30A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM210N02CX
20V, 6.7A, SINGLE N-CHANNEL POWE