Výrobca Číslo produktu:
CSD16570Q5B
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD16570Q5B-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Inventár:
6419 Ks Nové Originálne Na Sklade
12814932
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD16570Q5B Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.9V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
14000 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-VSON-CLIP (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
CSD16570
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Produktová stránka výrobcu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
CSD16570Q5B-DG
296-47753-6
296-47753-2
296-47753-1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFH7921TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN
IRF6617TR1
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
CSD22206WT
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
