Výrobca Číslo produktu:
CSD17313Q2Q1T
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD17313Q2Q1T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 2.4W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Inventár:
12789013
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD17313Q2Q1T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
-
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
3V, 8V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+10V, -8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
340 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.4W (Ta), 17W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-WSON (2x2)
Balenie / puzdro
6-WDFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
CSD173
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Produktová stránka výrobcu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
250
Iné mená
296-CSD17313Q2Q1TCT
296-CSD17313Q2Q1TTR
CSD17313Q2Q1T-DG
2156-CSD17313Q2Q1T-296
296-CSD17313Q2Q1TDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD17313Q2T
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24769
ČÍSLO DIELU
CSD17313Q2T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.41
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CMUDM7001 TR PBFREE
MOSFET N-CH 20V 100MA SOT523
CSD17577Q3AT
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
CSD17309Q3
MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
