Výrobca Číslo produktu:
CSD17510Q5A
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD17510Q5A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Inventár:
5394 Ks Nové Originálne Na Sklade
12788574
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD17510Q5A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1250 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-VSONP (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
CSD17510
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Produktová stránka výrobcu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
-CSD17510Q5A-NDR
296-27792-6
296-27792-1
296-27792-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CSD25404Q3
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
CSD19535KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
CSD13302WT
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
