Výrobca Číslo produktu:
CSD18510KCS
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD18510KCS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 250W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventár:
789 Ks Nové Originálne Na Sklade
13022595
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD18510KCS Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tube
Seriál
NexFET™
Balenie
Tube
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
75 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11400 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
CSD18510
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Produktová stránka výrobcu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
296-47695
CSD18510KCS-ND
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CSD25404Q3T
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
CSD18532NQ5B
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON
CSD17585F5
MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
