Výrobca Číslo produktu:
CSD18511Q5AT
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD18511Q5AT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 159A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Inventár:
6919 Ks Nové Originálne Na Sklade
12794389
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD18511Q5AT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
159A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.45V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5850 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-VSONP (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
CSD18511
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Produktová stránka výrobcu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
250
Iné mená
296-45230-1
296-45230-2
296-45230-6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CSD18563Q5AT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
CDM7-600LR TR13 PBFREE
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
