CSD18532KCS
Výrobca Číslo produktu:

CSD18532KCS

Product Overview

Výrobca:

Texas Instruments

Číslo dielu:

CSD18532KCS-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

1360 Ks Nové Originálne Na Sklade
12815069
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

CSD18532KCS Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tube
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4680 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
CSD18532

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
Produktová stránka výrobcu

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
296-34941-5
-296-34941-5
-296-34941-5-DG
-CSD18532KCS-NDR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
texas-instruments

CSD17575Q3T

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

infineon-technologies

IRF300P227

MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC

epc

EPC2001

GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE

texas-instruments

CSD25485F5T

MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR