Výrobca Číslo produktu:
CSD22202W15
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD22202W15-DG
Popis:
MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Podrobný popis:
P-Channel 8 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA
Inventár:
53208 Ks Nové Originálne Na Sklade
12788612
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD22202W15 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
8 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
-6V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1390 pF @ 4 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
9-DSBGA
Balenie / puzdro
9-UFBGA, DSBGA
Základné číslo produktu
CSD22202
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Produktová stránka výrobcu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
CSD22202W15-DG
296-39999-1
-296-39999-1-DG
296-39999-2
296-39999-6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CSD13303W1015
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
CSD17313Q2
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
